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达林顿晶体管阵列 HGSEMI ULN2004N
- 品 牌：HGSEMI(华冠)
- 型 号： ULN2004N
- 商品编号： G11610900
- 封装规格： DIP-16
- 商品描述： 开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):8V@2V,350mA;集电极电流(Ic):500mA;集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA;输出漏电流(Icex@Vce):500uA@50V;开态输入电流(Ii@Vi):1.45mA@12V;关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@500uA;嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V;嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA;输入电容(Ci):25pF;
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DIP-16 | |
集射极击穿电压Vce(Max) | 50V | |
输入电容 | 25pF | |
通道数 | 七路 | |
输入电压 | 30V | |
集电极电流 Ic | 500mA | |
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商品介绍
开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):8V@2V,350mA;集电极电流(Ic):500mA;集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA;输出漏电流(Icex@Vce):500uA@50V;开态输入电流(Ii@Vi):1.45mA@12V;关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@500uA;嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V;嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA;输入电容(Ci):25pF;
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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ULN2004N 由 HGSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 ULN2004N 价格参考￥ 1.77828 。 HGSEMI ULN2004N 封装/规格： DIP-16, 开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):8V@2V,350mA;集电极电流(Ic):500mA;集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA;输出漏电流(Icex@Vce):500uA@50V;开态输入电流(Ii@Vi):1.45mA@12V;关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@500uA;嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V;嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA;输入电容(Ci):25pF;。你可以下载 ULN2004N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 达林顿晶体管阵列 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： ULN2004N
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