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MOSFETs VBsemi RU30L30M-VB
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- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： RU30L30M-VB
- 商品编号： G6619887
- 封装规格： QFN8_3X3MM_EP
- 商品描述： MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
- 商品详情
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产品分类 | ||
封装/外壳 | QFN8_3X3MM_EP | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18mΩ | |
阈值电压 | - | |
连续漏极电流 | 14.4A | |
配置 | 单路 | |
原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 3.00 x 3.00mm | |
高度 | 0.80mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -50℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 322pF | |
功率耗散 | 3.8W | |
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商品介绍
MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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RU30L30M-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 RU30L30M-VB 价格参考￥ 1.81589 。 VBsemi RU30L30M-VB 封装/规格： QFN8_3X3MM_EP, MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP。你可以下载 RU30L30M-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： RU30L30M-VB
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