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MOSFETs VBsemi IRFTS9342TRPBF-VB 替代

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT23-6

安装类型

SMT

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流

4.8A

类型

1个P沟道

长x宽/尺寸

3.05 x 1.65mm

高度

1.10mm

极性

P-沟道

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商品介绍

MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT23-6

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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型号:RC0603FR-074K7L
品牌:Yageo
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRFTS9342TRPBF-VB
MOSFETs
MOSFETs VBsemi IRFTS9342TRPBF-VB
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品牌:AVX
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贴片电容(MLCC)
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IRFTS9342TRPBF-VB(VBsemi)和02016D104KAT2A(AVX)的区别
品牌:Samsung
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贴片电容(MLCC)
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IRFTS9342TRPBF-VB(VBsemi)和CL03A104KQ3NNNH(Samsung)的区别
品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
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IRFTS9342TRPBF-VB(VBsemi)和GRM033R60J104KE19J(Murata)的区别
品牌:Samsung
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贴片电容(MLCC)
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IRFTS9342TRPBF-VB(VBsemi)和CL03A104KQ3NNNC(Samsung)的区别
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贴片电容(MLCC)
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IRFTS9342TRPBF-VB(VBsemi)和JMK063BJ104KP-F(Taiyo Yuden)的区别

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IRFTS9342TRPBF-VBVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRFTS9342TRPBF-VB 价格参考¥ 0.72795 。 VBsemi IRFTS9342TRPBF-VB 封装/规格: SOT23-6, MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT23-6。你可以下载 IRFTS9342TRPBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRFTS9342TRPBF-VB

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