上传BOM 
购物车
MOSFETs HUASHUO HSL6107
- 品 牌：HUASHUO(华朔)
- 型 号： HSL6107
- 商品编号： G6531471
- 封装规格： SOT-223-3
- 商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
EDA模型
查看详情
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-223-3 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180mΩ | |
阈值电压 | 2.5V | |
栅极电荷(Qg) | 4.6nC | |
连续漏极电流 | 2.3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 531pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 6.70 x 3.70mm | |
高度 | 1.80mm | |
引脚数 | 4Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 38pF | |
额定功率 | 1.5W | |
功率耗散 | 1.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,2A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
工商网监 