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MOSFETs NCE NCEP60T15G
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCEP60T15G
- 商品编号： G5970617
- 封装规格： DFN8_5X6MM
- 商品描述： MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_5X6MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8mΩ | |
阈值电压 | 2.8V | |
连续漏极电流 | 150A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 4.5nF | |
正向电流 | 150A | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 5.75 x 4.90mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
无卤 | Yes | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 24pF | |
额定功率 | 200W | |
功率耗散 | 200W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@10V,20A | |
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商品介绍
MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NCEP60T15G 由 NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCEP60T15G 价格参考￥ 4 。 NCE NCEP60T15G 封装/规格： DFN8_5X6MM, MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM。你可以下载 NCEP60T15G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCEP60T15G
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