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购物车 MOSFETs Vishay SI2337DS-T1-E3 替代
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI2337DS-T1-E3
- 商品编号： G0054245
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
- 商品详情
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270毫欧@1.2A，10V | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
连续漏极电流 | 2.2A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 500pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
无卤 | Yes | |
击穿电压 | 80V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
额定功率 | 760mW | |
功率耗散 | 760mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,1.2A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI2337DS-T1-E3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI2337DS-T1-E3 | 数据手册 | 0（1起订） | ¥5.26509 ▼ 数量国内含税 1 +￥5.26509 10 +￥4.85503 30 +￥4.77302 100 +￥4.52698 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | 0（10起订） | ¥3.46500 ▼ 数量国内含税 1 +￥3.46500 10 +￥3.15000 30 +￥2.94000 100 +￥2.62500 500 +￥2.47800 1000 +￥2.37300 | SI2337DS-T1-E3(Vishay)和ZXMP6A13FTA(DIODES)的区别 | |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | 3046（20起订） | ¥0.66022 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.66022 20 +￥0.59909 100 +￥0.53796 500 +￥0.47683 1000 +￥0.44830 2000 +￥0.42792 | SI2337DS-T1-E3(Vishay)和SI2309CDS-T1-GE3(Vishay)的区别 | |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | --- | --- | --- | |
 | PIN to PIN | 陶瓷电容/独石电容 | --- | --- | --- | --- | |
| PIN to PIN | | --- | --- | --- | --- |
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SI2337DS-T1-E3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeycorestaffelement14future 等渠道进行代购。 SI2337DS-T1-E3 价格参考￥ 5.26509 。 Vishay SI2337DS-T1-E3 封装/规格： SOT-23, MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3。你可以下载 SI2337DS-T1-E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2337DS-T1-E3
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