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MOSFETs ROHM RQ6E030ATTCR 替代

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封装
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TSMT6

零件状态

Active

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

P沟道

安装类型

SMT

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

91毫欧@3A,10V

阈值电压

2.5V@1mA

连续漏极电流

3A

配置

单路

输入电容

240pF

原始制造商

Rohm Co.,Ltd.

原产国家

Japan

长x宽/尺寸

3.00 x 1.80mm

高度

1.00mm

引脚数

6Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

35pF

功率耗散

1.25W

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商品介绍

表面贴装型 P 通道 30 V 3A(Ta) TSMT6(SC-95)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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数据手册
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品牌:Samsung
封装/规格:0603
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型号:HQ9805A
品牌:HQ
封装/规格:Tool
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:RQ6E030ATTCR
品牌:ROHM(罗姆)
MOSFETs
MOSFETs ROHM RQ6E030ATTCR
数据手册 100(1起订)

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型号: TL431AIDBZR
品牌:TI
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RQ6E030ATTCR(ROHM)和TL431AIDBZR(TI)的区别
型号: TL432AIDBZR
品牌:TI
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RQ6E030ATTCR(ROHM)和TL432AIDBZR(TI)的区别
型号: TL432BIDBZR
品牌:TI
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RQ6E030ATTCR(ROHM)和TL432BIDBZR(TI)的区别
型号: TL431BIDBZR
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RQ6E030ATTCR(ROHM)和TL431BIDBZR(TI)的区别
型号: TL431IDBZR
品牌:TI
PIN to PIN
电压基准
数据手册 467(10起订)

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RQ6E030ATTCR(ROHM)和TL431IDBZR(TI)的区别

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RQ6E030ATTCRROHM 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopcorestaff 等渠道进行代购。 RQ6E030ATTCR 价格参考¥ 0.45826 。 ROHM RQ6E030ATTCR 封装/规格: TSMT6, 表面贴装型 P 通道 30 V 3A(Ta) TSMT6(SC-95)。你可以下载 RQ6E030ATTCR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: RQ6E030ATTCR

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