上传BOM 
购物车
MOSFETs ALLPOWER AP30H80G
- 品 牌：ALLPOWER(铨力)
- 型 号： AP30H80G
- 商品编号： G5897863
- 封装规格： PDFN8_5X6MM
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
EDA模型
查看详情
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | PDFN8_5X6MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12mΩ | |
阈值电压 | 1.5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 33.7nC | |
连续漏极电流 | 70A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.614nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 5.85 x 5.00mm | |
高度 | 1.17mm | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
反向传输电容Crss | 215pF@15V | |
额定功率 | 65W | |
功率耗散 | 65W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,30A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
工商网监 