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MOSFETs LRC L2N7002KLT1G 替代

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

60V

阈值电压

2.5V@250μA

连续漏极电流

320mA

配置

单路

类型

1个N沟道

原始制造商

Leshan Radio Co., Ltd.

原产国家

China

长x宽/尺寸

3.04 x 1.40mm

高度

1.11mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

额定功率

300mW

功率耗散

300mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

2.3Ω@10V,500mA

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商品介绍

MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
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型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:L2N7002KLT1G
MOSFETs
MOSFETs LRC L2N7002KLT1G
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32位MCU微控制器
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品牌:ST
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L2N7002KLT1G(LRC)和STM32F427VGT6(ST)的区别
品牌:ST
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L2N7002KLT1G(LRC)和STM32F427VIT6(ST)的区别
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L2N7002KLT1G(LRC)和STM32F427VGT6TR(ST)的区别

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L2N7002KLT1GLRC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 L2N7002KLT1G 价格参考¥ 0.07248 。 LRC L2N7002KLT1G 封装/规格: SOT-23, MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23。你可以下载 L2N7002KLT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: L2N7002KLT1G

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