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MOSFETs NCE NCE30H12K

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品牌：NCE(无锡新洁能)
型号：NCE30H12K
商品编号：DS0142019
封装规格：TO252
商品描述： N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
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图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：NCE30H12K 品牌：NCE(无锡新洁能)	MOSFETs MOSFETs NCE NCE30H12K MOSFETs NCE NCE30H12K	数据手册	2875（1起订）	¥1.22300 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.22300 10 +￥1.10675 30 +￥1.02925 100 +￥0.91300 500 +￥0.85875 1000 +￥0.82000	当前型号	加入购物车

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NCE30H12K 由 NCE 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 NCE30H12K 价格参考￥ 1.223 。 NCE NCE30H12K 封装/规格： TO252, N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W。你可以下载 NCE30H12K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： NCE30H12K

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型号：NCE30H12K
商品编号：DS0142019
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品 牌：NCE(无锡新洁能)型 号：NCE30H12K商品编号：DS0142019封装规格：TO252商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W 技术文档数据手册

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