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MOSFETs ST STD10NM60N

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-252(DPAK)

零件状态

Active

系列

MDmesh™II

是否无铅

No

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

600V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

550毫欧@4A,10V

阈值电压

4V

连续漏极电流

10A

配置

单路

输入电容

540pF

类型

1个N沟道

长x宽/尺寸

6.73 x 6.22mm

高度

2.40mm

引脚数

3Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±25V

充电电量

19nC

额定功率

70W

功率耗散

70W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

550mΩ@10V,4A

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商品介绍

表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 70W(Tc) DPAK

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01298
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STD10NM60N
MOSFETs
MOSFETs ST STD10NM60N
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10 +¥5.68621

100 +¥5.03010

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STD10NM60NST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrowtme 等渠道进行代购。 STD10NM60N 价格参考¥ 5.90491 。 ST STD10NM60N 封装/规格: TO-252(DPAK), 表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 70W(Tc) DPAK。你可以下载 STD10NM60N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: STD10NM60N

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