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购物车 MOSFETs Vishay SI9407BDY-T1-GE3 替代
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI9407BDY-T1-GE3
- 商品编号： G3704705
- 封装规格： SOIC8_150MIL
- 商品描述： MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOIC8_150MIL | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120毫欧@3.2A，10V | |
阈值电压 | 3V@250µA | |
连续漏极电流 | 4.7A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 600pF@30V | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | |
高度 | 1.55mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 50pF | |
额定功率 | 2.4W,5W | |
功率耗散 | 2.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,3.2A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
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SI9407BDY-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stop 等渠道进行代购。 SI9407BDY-T1-GE3 价格参考￥ 1.48 。 Vishay SI9407BDY-T1-GE3 封装/规格： SOIC8_150MIL, MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL。你可以下载 SI9407BDY-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI9407BDY-T1-GE3
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