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MOSFETs Vishay SI2323DS-T1-E3 替代
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI2323DS-T1-E3
- 商品编号： G0014486
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
- 商品详情
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- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39毫欧@4.7A，4.5V | |
阈值电压 | 1V@250µA | |
连续漏极电流 | 3.7A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.02nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 140pF | |
充电电量 | 19nC | |
额定功率 | 750mW | |
功率耗散 | 1.25W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@4.5V,4.7A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI2323DS-T1-E3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI2323DS-T1-E3 | 数据手册 | 1335（1起订） | ¥2.38060 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.38060 30 +￥2.29558 100 +￥2.21056 500 +￥2.04051 1000 +￥1.95549 2000 +￥1.90448 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 端子 | 数据手册 | 54150（500起订） | ¥0.02785 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.02785 500 +￥0.02624 1000 +￥0.02383 5000 +￥0.02061 10000 +￥0.01868 | SI2323DS-T1-E3(Vishay)和A2001-TP(CJT)的区别 | |
 | PIN to PIN | 端子 | 数据手册 | 9042（500起订） | ¥0.04643 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.04643 500 +￥0.04373 1000 +￥0.03968 5000 +￥0.03428 10000 +￥0.03105 | SI2323DS-T1-E3(Vishay)和1735801-1(TE)的区别 | |
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SI2323DS-T1-E3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 corestaff 等渠道进行代购。 SI2323DS-T1-E3 价格参考￥ 2.3806 。 Vishay SI2323DS-T1-E3 封装/规格： SOT-23, 表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。你可以下载 SI2323DS-T1-E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2323DS-T1-E3
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