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MOSFETs ON FDC5614P
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT23-6 | |
零件状态 | Active | |
系列 | PowerTrench® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
漏极电流 | 3A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105毫欧@3A，10V | |
阈值电压 | 3V@250µA | |
连续漏极电流 | 3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 759pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | ON Semiconductor | |
原产国家 | America | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.650mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 6Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 39pF | |
充电电量 | 15nC | |
额定功率 | 1.6W | |
功率耗散 | 1.6W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V,3A | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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