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DMT6016LSS-13
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产品分类 | ||
封装 | 8-SOIC(0.154inch|3.90mm) | |
Vgs(th) | 2.5 V | |
制品名 | DMT6016LSS-13 | |
漏源电压 | 60V | |
Vgs (Max) | 20V | |
消耗电力 | 1.5W | |
Gate Charge (Qg) | 17nC | |
Input Capacitance (Ciss) | 864pF | |
生命周期状态 | 量产中 | |
制造商名称 | Diodes | |
其它名称 | DMT6016LSS-13DITR | DMT6016LSS-13DICT | DMT6016LSS-13DIDKR | |
FET类型 | N-CH | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5|10V | |
源漏开态电阻 | 18mOhm | |
动作温度范围 | -55 to 150C | |
Technology System | MOSFET(Metal Oxide) | |
制品分类 | MOSFET | |
RoHS | 符合RoHS标准 | |
连续漏极电流 | 9.2A | |
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商品介绍
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive 8-Pin SO T/R
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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