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IXFN420N10T
- 商品详情
- 技术文档
tariffCode | 85412900 |
rohsCompliant | YES |
hazardous | false |
rohsPhthalatesCompliant | YES |
工作温度最高值 | 175 |
产品范围 | GigaMOS HiperFET |
usEccn | EAR99 |
阈值栅源电压最大值 | 5 |
漏源电压, Vds | 100 |
euEccn | NLR |
通道类型 | N通道 |
功率耗散 | 1.07 |
productTraceability | No |
Rds(on)测试电压 | 10 |
电流, Id 连续 | 420 |
漏源接通状态电阻 | 0.0023 |
商品介绍
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET晶体管, N沟道, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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