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带预偏置三极管 ON MUN5236DW1T1G

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: MUN5236DW1T1G
  • 商品编号: DS0128686
  • 封装规格: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 商品描述: Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN

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RoHS

符合RoHS

配置

Dual

晶体管极性

NPN

典型输入电阻器

100 kOhms

典型电阻器比率

1

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SOT-363-6

直流集电极/Base Gain hfe Min

80

集电极—发射极最大电压 VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

峰值直流集电极电流

100 mA

Pd-功率耗散

187 mW

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

系列

MUN5236DW1

封装

Cut Tape

封装

MouseReel

封装

Reel

直流电流增益 hFE 最大值

80 at 5 mA at 10 V

高度

0.9 mm

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

商标

ON Semiconductor

产品类型

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格

AEC-Q101

标准包装数量

3000

子类别

Transistors

商品介绍

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01133
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02255
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:MUN5236DW1T1G
品牌:ON(安森美)
开关晶体管 - 偏压电阻器
带预偏置三极管 ON MUN5236DW1T1G
数据手册 0(1起订)
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MUN5236DW1T1GON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 MUN5236DW1T1G 价格参考¥ 0 。 ON MUN5236DW1T1G 封装/规格: TSSOP6,SC88,SOT363, TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88。你可以下载 MUN5236DW1T1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 带预偏置三极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: MUN5236DW1T1G

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