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碳化硅二极管 GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E 替代

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电流 - 平均整流 (Io)

8A

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

1200 V

系列

SiC Schottky MPS™

供应商器件封装

TO-252-2

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8 V @ 2 A

包装

卷带(TR)

不同 Vr、F 时电容

73pF @ 1V,1MHz

安装类型

表面贴装型

技术

SiC(Silicon Carbide)Schottky

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

反向恢复时间 (trr)

0 ns

工作温度 - 结

-55°C ~ 175°C

速度

无恢复时间 > 500mA(Io)

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

5 µA @ 1200 V

标准包装

2500

零件状态

在售

商品介绍

二极管 1200 V 8A 表面贴装型 TO-252-2

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:GD02MPS12E
单二极管
碳化硅二极管 GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E
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品牌:Panasonic
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贴片铝电解电容
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GD02MPS12E(GeneSiC Semiconductor)和EEE-FK1C221XP(Panasonic)的区别
品牌:Wurth
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贴片铝电解电容
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GD02MPS12E(GeneSiC Semiconductor)和865060345007(Wurth)的区别
品牌:Panasonic
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GD02MPS12E(GeneSiC Semiconductor)和EEEFK1C221XP(Panasonic)的区别
品牌:Panasonic
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贴片铝电解电容
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GD02MPS12E(GeneSiC Semiconductor)和EEEFKC221XAP(Panasonic)的区别
品牌:HUAWEI
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贴片铝电解电容
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GD02MPS12E(GeneSiC Semiconductor)和VB1C221ME077000CE0(HUAWEI)的区别

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GD02MPS12EGeneSiC Semiconductor 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 GD02MPS12E 价格参考¥ 15.88021 。 GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E 封装/规格: TO252, 1200V 2A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M。你可以下载 GD02MPS12E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 碳化硅二极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: GD02MPS12E

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