上传BOM 
购物车 MOSFETs ON FDP4D5N10C 替代
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
供应商器件封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
FET 类型 | N 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 310µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 128A（Tc） |
封装/外壳 | TO-220-3 |
零件状态 | 在售 |
基本产品编号 | FDP4D5 |
系列 | PowerTrench® |
漏源电压（Vdss） | 100 V |
功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），150W（Tc） |
安装类型 | 通孔 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 50 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5065 pF @ 50 V |
Vgs（最大值） | ±20V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 100A，10V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
通孔 N 通道 100 V 128A（Tc） 2.4W（Ta），150W（Tc） TO-220-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）
| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：FDP4D5N10C 品牌：ON(安森美) | 单 FET，MOSFET MOSFETs ON FDP4D5N10C | 数据手册 | 0（1起订） | ¥45.21143 ▼ 数量国内含税 1 +￥45.21143 50 +￥28.41973 100 +￥26.21948 500 +￥24.57630 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 贴片铝电解电容 | 数据手册 | 0（30起订） | ¥2.89998 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.89998 30 +￥2.79998 100 +￥2.59998 500 +￥2.39998 1000 +￥2.29999 | FDP4D5N10C(ON)和EEV-FK1H102M(Panasonic)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片铝电解电容 | 数据手册 | --- | --- | FDP4D5N10C(ON)和EEEFK1H102AM(Panasonic)的区别 |
工商网监 