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晶体管 Infineon BSP149H6327XTSA1
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： BSP149H6327XTSA1
- 商品编号： G0092436
- 封装规格： TO-261-4，TO-261AA
- 商品描述： 表面贴装型 N 沟道，耗尽型 200 V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
- 商品详情
- 技术文档
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
包装 | 卷带（TR） |
FET 类型 | N 沟道，耗尽型 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 400µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA（Ta） |
封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
零件状态 | 在售 |
基本产品编号 | BSP149 |
系列 | SIPMOS® |
漏源电压（Vdss） | 200 V |
功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 1000 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430 pF @ 25 V |
等级 | 汽车级 |
Vgs（最大值） | ±20V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 5 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
资质 | AEC-Q101 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
商品介绍
表面贴装型 N 沟道，耗尽型 200 V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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