• 品       牌：VBsemi
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• 封装规格： SOT23-3
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。