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晶体管 ST STN1N20
- 品 牌：ST(意法半导体)
- 型 号： STN1N20
- 商品编号： G3519583
- 封装规格： SOT-223
- 商品描述： 封装: SOT223 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.5Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15.7 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 206 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.9W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MESH OVERLAY™
- 商品详情
商品介绍
封装: SOT223 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.5Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15.7 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 206 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.9W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MESH OVERLAY™
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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